مقارنة Silicon Power Slim S55 60Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Silicon Power Slim S55 60Gb

وزن المنتج 164 g 63 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS -
الحجم والأبعاد M.2 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Silicon Power Slim S55 60Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Silicon Power Slim S55 60Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 63 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power Slim S55 60Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power Slim S55 60Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Silicon Power Slim S55 60Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 63 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Silicon Power Slim S55 60Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Silicon Power Slim S55 60Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 63 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Silicon Power Slim S55 60Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false