مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tbمع

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) -
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - PCIe Gen4 NVMe
الميزات الإضافية - برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
محتويات العلبة - ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة داخلي محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe Gen3x4
الميزات الإضافية - تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
محتويات العلبة - SSD، وثائق

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tbمع

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tbمع

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM false نعم
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 8 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

وزن المنتج 34.4 g 8 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة - 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
الميزات الإضافية - برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Silicon Power P34A60 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false