مقارنة Silicon Power Ace A55 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة SSD داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM نعم false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
العمر الافتراضي المتوسط غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ نعم true
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe) -
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5 دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت -
خيارات الألوان أسود -
الحجم والأبعاد M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج تقريبًا 8.0 جرام 8 جرام (g)
محتويات العلبة SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO -
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد M.2 2280 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة -
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد M.2 2280 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

Silicon Power Ace A55 128Gb

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل -
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد M.2 2280 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة فعال -
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 1.6 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Silicon Power Ace A55 128Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 7200 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 12 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 205 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

Silicon Power Ace A55 128Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power Ace A55 128Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power Ace A55 128Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED - false