مقارنة Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 260 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true false
الحجم والأبعاد 10 * 80 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.85 x 6.8 مم 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Samsung 860 Qvo 1Tb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 جرام (g) 8 جرام (g)
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7250 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

الميزة

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 37.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Samsung 960 Pro 512Gbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Samsung 960 Pro 512Gb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8.3 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 256Gb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true true
دعم S.M.A.R.T true false
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

الميزة

Lexar Ns100 512Gb

Silicon Power A80 Nvme M2 2280 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 256 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الشهادات والتصديقات -