مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

الميزة		قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	ذاكرة فلاش NAND	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	Yes
نوع الاتصال	NVMe	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت	960 GB
سرعة القراءة التسلسلية	7150 ميجابايت/ثانية	6800 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	أحدث ذاكرة NAND	V-NAND TLC
وحدة التحكم	وحدة تحكم مطلية بالنيكل	-
الأنظمة المتوافقة	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
تقنية التشفير		Yes
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
استهلاك الطاقة	فعال	-
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

كروشيال VS سامسونج

الميزة		قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4	Yes
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	2700 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND	V-NAND TLC
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سعة الذاكرة	-	960 GB
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سامسونغ VS سامسونج

الميزة		قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	SSD داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe 4.0 x4 NVMe	Yes
نوع الاتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت	960 GB
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية	2700 MB/s
ذاكرة DRAM	نعم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
مواصفات ذاكرة الفلاش	Samsung V-NAND	V-NAND TLC
وحدة التحكم	Samsung Elpis Controller	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية	850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية	130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)	2000000 saat
دعم NCQ	نعم	-
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)	-
الميزات الإضافية	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5	-
تقنية التشفير	تشفير AES 256 بت	Yes
خيارات الألوان	أسود	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	تقريبًا 8.0 جرام	90 g
محتويات العلبة	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
استهلاك الطاقة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO	-
الجهد التشغيلي	-	12 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة مع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

كينغسبيك VS سامسونج

الميزة		قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4	Yes
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت	960 GB
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	6800 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)	V-NAND TLC
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة	-
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	90 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	12 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	12 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	3.5 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	90 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	90 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	12 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	12 V
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3 {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	6800 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	130000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	12 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	90 g	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج PM9A3
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		850000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		130000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	2.5" (100.2 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	12 V
وزن المنتج	-	90 g

عرض تفاصيل المقارنة