مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

وزن المنتج 34.4 g -
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm -
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) -
وزن المنتج 7 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) -
وزن المنتج 46 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung Pm991A Nvme M2 256Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج - 40 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) -
وزن المنتج 6 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) -
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 7.3 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false