صفحة 3 من المقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2	-
وزن المنتج	9 g	-
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.6 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	7.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة