مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش - أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم - وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - M.2 2280
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM false نعم
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM false نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false نعم
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش - Samsung V-NAND
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
العمر الافتراضي المتوسط - غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
الحجم والأبعاد - M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج - تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
سرعة القراءة التسلسلية 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - PCIe Gen4 NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش - Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة - Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية - برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد - M.2 2280
محتويات العلبة - ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 15 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي 12 V
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D eTLC
العمر الافتراضي المتوسط - 2500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج - 205 g

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 2.8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) -
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) -
وزن المنتج 69 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 6.5 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 256Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 2 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
مواصفات ذاكرة الفلاش - TLC 3D NAND
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية - برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد - M.2 2280

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Samsung Pm991 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 2050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false