صفحة 3 من المقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 2000000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 10 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 46 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC V-NAND TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9 g 70 g
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA III

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 960 GB 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 1.92 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 69 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

جيجابايت Nvme M2 128Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 4 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.7 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 240 GB 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS 30000 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 2000000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 1.92 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V