مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
تصميم وأبعاد الجهاز -

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 -
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 550 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND V-NAND TLC
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل -
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
تقنية التشفير 256-bit AES
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
استهلاك الطاقة فعال -
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4 -
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 520 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND V-NAND TLC
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 960 GB
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4 -
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 550 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC) V-NAND TLC
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة -
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف -
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
تقنية التشفير - 256-bit AES
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة SSD داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe -
نوع الاتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية 520 MB/s
ذاكرة DRAM نعم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND V-NAND TLC
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية) 2000000 saat
دعم NCQ نعم -
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe) -
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5 -
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت 256-bit AES
خيارات الألوان أسود -
الحجم والأبعاد M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج تقريبًا 8.0 جرام 70 g
محتويات العلبة SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2000000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير 256-bit AES
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V