صفحة 2 من المقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

وزن المنتج 34.4 g 70 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA III

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 46 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 1.92 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 2000000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 70 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - 256-bit AES
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 960 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1400
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 70 g 50 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 2000000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 10 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) -
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes 256-bit AES
سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 12 g 70 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V