مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s
ذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat
دعم NCQ -
دعم TRIM true
دعم S.M.A.R.T true
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
تقنية التشفير 256-bit AES
خيارات الألوان -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 70 g
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
استهلاك الطاقة -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
دعم TRIM true
دعم S.M.A.R.T true
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
تقنية التشفير - 256-bit AES
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 960 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

جيجابايت Nvme M2 128Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير 256-bit AES
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير 256-bit AES
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 2000000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 70 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - 256-bit AES
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS