صفحة 2 من المقارنة Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tbمع

الميزة	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1.6 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	false	نعم
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	false	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	نعم
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	Samsung V-NAND
وحدة التحكم	-	Samsung Elpis Controller
العمر الافتراضي المتوسط	-	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1.6 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

سامسونغ VS كينغسبيك

الميزة	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1.6 تيرابايت (tb)	512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	نعم
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tbمع

سامسونغ VS كروشيال

الميزة	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1.6 تيرابايت (tb)	-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية	-	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	960 GB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	512 GB	1.6 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	-
وزن المنتج	7.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	512 GB	1.6 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	-
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	2 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة