مقارنة Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
وزن المنتج	70 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	6 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	7.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
وزن المنتج	34.4 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	1.6 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB	1.6 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	1.6 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
سعة الذاكرة	2 TB	1.6 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	9 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة