مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة إس إس دي داخلي لينوفو 4XB1R33424مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

الميزة	إس إس دي داخلي لينوفو 4XB1R33424	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	15 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6800 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5600 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 35 °C
الحجم والأبعاد	U.3 (100.5 * 15 * 70.1 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	400 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A82290مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A82290	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	960 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	95000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	3000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lenovo 4XB7A10244 SSD داخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	Lenovo 4XB7A10244 SSD داخلي	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	960 GB	4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	3000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	3.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	9 جرام (g)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي لينوفو 4XB7A13625مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي لينوفو 4XB7A13625	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تقنية التشفير	256-bit AES	-
سعة الذاكرة	240 GB	4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	290 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	3.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	63 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونغ VS سانديسك

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	800 GB	4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	1076 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	932 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	240000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	166000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	2.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
خيارات الألوان	Gri	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Aigo S500 Sata 25 Inch 512Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

آيجو VS سامسونغ

الميزة	Aigo S500 Sata 25 Inch 512Gb	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 40 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة
الحجم والأبعاد	6.9 * 70.2 * 100.5 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	48 جرام (g)	9 جرام (g)
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17071مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17071	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	240 GB	4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	310 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	67000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	40000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	657	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	M.2	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A17081 SSD داخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A17081 SSD داخلي	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	240 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	310 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	67 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	40 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	3000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	3.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة إس إس دي داخلي MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TBمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	إس إس دي داخلي MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	950000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	950000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	640	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.15 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تقنية التشفير	Yes	-
دعم TRIM	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GBمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GB	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	500 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3600 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	300 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	550 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 2.15 * 80 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
دعم TRIM	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة