مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17071 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17071مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17071	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	240 GB	4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	310 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	67000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	40000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	657	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	M.2	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB7A17081 SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة لينوفو 4XB7A17081 SSD داخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A17081 SSD داخلي	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	240 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	310 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	67 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	40 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	3000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	3.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة إس إس دي داخلي MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TBمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	إس إس دي داخلي MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	950000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	950000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	640	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.15 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تقنية التشفير	Yes	-
دعم TRIM	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GB {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GBمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GB	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	500 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3600 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	300 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	550 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 2.15 * 80 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
دعم TRIM	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كيو إن إيه بي SSD-M2080-256GB-A01 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي كيو إن إيه بي SSD-M2080-256GB-A01مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

كيوناب VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كيو إن إيه بي SSD-M2080-256GB-A01	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	256 GB	4 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	M.2	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
خيارات الألوان	Mavi	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3/240G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3/240Gمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

هايبر اكس VS سامسونغ

الميزة	اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3/240G	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	240 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	MLC
سرعة القراءة التسلسلية	555 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	510 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	40000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	57000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 9.5 * 100 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	97 g	9 جرام (g)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
مادة الهيكل	Aluminium	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جودرام IRDM PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي جودرام IRDM PROمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

جودرام VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جودرام IRDM PRO	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7000 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	350000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	700000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3/120G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3/120Gمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

هايبر اكس VS سامسونغ

الميزة	اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3/120G	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	120 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	MLC
سرعة القراءة التسلسلية	555 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	510 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	20000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	60000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 9.5 * 100 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	97 g	9 جرام (g)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
مادة الهيكل	Aluminium	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3B/120G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3B/120Gمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

هايبر اكس VS سامسونغ

الميزة	اس اس دي داخلي هايبر إكس SH103S3B/120G	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	120 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	MLC
سرعة القراءة التسلسلية	555 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	510 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	20000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	60000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 9.5 * 100 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	97 g	9 جرام (g)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
مادة الهيكل	Aluminium	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

جودرام VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	256 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة مع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

كينغسبيك VS سامسونغ

الميزة		Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة		داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
نوع الاتصال		-
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية		7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
دعم TRIM		true
دعم S.M.A.R.T		false
الأنظمة المتوافقة		-
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد		2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة		-
تصميم وأبعاد الجهاز
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1800000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	40 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة