صفحة 5 من المقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	1 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	9 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	3504	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	69 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

فيليبس VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	240 GB	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	38.2 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

ديل VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	3.84 TB	2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	4 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.7 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3400 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	9 جرام (g)
خيارات الألوان	Siyah	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	146.2 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 960 Pro 512Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 960 Pro 512Gb	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM		2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8.3 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo 250Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo 250Gb	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM		2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM		2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 جرام (g)	9 جرام (g)
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كروشيال VS سامسونغ

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة