صفحة 4 من المقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tbمع

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة فعال
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 960 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 512 GB 2 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.5 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tbمع

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة - 2 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 1.6 TB 2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2.5" 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false