TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
VS
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
مقارنة الميزات
نوع التخزين
نوع التخزين
| نوع استخدام الذاكرة | داخلي | Dahili |
|---|---|---|
| منفذ الاتصال بالذاكرة | PCI Express 4.0 | |
| تفاصيل الاتصال بالتخزين | Yes |
المواصفات العامة
المواصفات العامة
| تصميم وأبعاد الجهاز | - |
|---|
الميزات الفنية
الميزات الفنية
| سعة الذاكرة | 1 TB | |
|---|---|---|
| مواصفات ذاكرة الفلاش | V-NAND TLC | |
| وحدة التحكم | - | |
| سرعة القراءة التسلسلية | 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) | 5000 MB/s |
| سرعة الكتابة التسلسلية | 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) | 4200 MB/s |
| سرعة القراءة العشوائية للبيانات | - | |
| سرعة الكتابة العشوائية للبيانات | - | |
| ذاكرة DRAM | لا | - |
| نطاق درجة الحرارة التشغيلية | - | |
| الجهد التشغيلي | 3.3 فولت (v) | - |
| العمر الافتراضي المتوسط | 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) | 600 |
القدرات
القدرات
| دعم NCQ | نعم | - |
|---|---|---|
| دعم RAID | لا | - |
| دعم S.M.A.R.T | نعم | نعم |
| الأنظمة المتوافقة | Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث | - |
| الميزات الإضافية | إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة | - |
| الشهادات والتصديقات | Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA | |
| تقنية التشفير | - | Yes |
| دعم TRIM | - | نعم |
الميزات والإمكانيات الإضافية
الميزات والإمكانيات الإضافية
| مؤشر الحالة LED | لا | - |
|---|
الميزات الجمالية
الميزات الجمالية
| الحجم والأبعاد | - | 2280 (22 x 80 mm) |
|---|
إخلاء المسؤولية: قد تحتاج المعلومات في هذه الصفحة إلى مراجعة. إذا لاحظت أي تناقض، يرجى الإبلاغ عنه
مقارنة تقييمات المستخدمين
TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
0
/10
من إجمالي 1 تصويت
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
0
/10
من إجمالي 1 تصويت
الأسئلة والأجوبة حول هذه المقارنة
لا توجد أسئلة حول هذه المقارنة بعد.
كن أول من يطرح سؤالاً!
سيتم عرض سؤالك بعد الموافقة عليه
