1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونغ VS سانديسك
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

كينغسبيك VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM true نعم
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 8 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

كروشيال VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونغ VS سيجيت
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إتش بي VS سامسونغ
الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

وزن المنتج 34.4 g 8 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونغ VS سامسونج
الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

بريداتور VS سامسونغ
الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إتش بي VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

أداتا VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة