صفحة 13 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Verity Ascend S601 Sata 2 5 Inch 120Gb

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	Verity Ascend S601 Sata 2 5 Inch 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	480 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	420 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	7 * 70 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp Ex900 Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Hp Ex900 Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	5.4 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp S750 Sata 25 Inch 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Hp S750 Sata 25 Inch 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	السماكة 6.7 مم	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	50 جرام (g)	8 جرام (g)
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp S650 Sata 25 Inch 480Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Hp S650 Sata 25 Inch 480Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
مادة الهيكل	ألومنيوم	-
الحجم والأبعاد	6.7 * 70 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	50 جرام (g)	8 جرام (g)
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت M30 Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 650 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Clexi Usb 3 0 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

كليكس VS سامسونغ

الميزة	Clexi Usb 3 0 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
نوع الاتصال	Type-A إلى Type-A من نوع USB 3.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux / Android / iOS	-
الميزات الإضافية	إمكانية الوصول إلى الدرايف عن طريق المصادقة عبر الهاتف الذكي / إمكانية اكتشاف المسافة بين الجهاز والهاتف المحمول المتصل / قفل الجهاز تلقائيًا في حالة الابتعاد عن الهاتف المحمول / إمكانية المشاركة المدارة مع أشخاص آخرين	-
الحجم والأبعاد	10 * 47 * 78 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp P700 Usb 3 1 Gen 2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Hp P700 Usb 3 1 Gen 2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 2	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS / Android	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / دعم UASP لزيادة سرعة القراءة/الكتابة على وحدات التخزين الخارجية / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		-
مادة الهيكل	معدن وبلاستيك	-
الحجم والأبعاد	9.2 * 65 * 92 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	58 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل USB Type-C إلى USB Type-A بطول 15.2 سم / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Ssd Dc S3520 Sata 2 5 Inch 960Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd Dc S3520 Sata 2 5 Inch 960Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	380 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 1750 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	3.5 واط في الوضع النشط / 0.6 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	7 * 69 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	66 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Ssd Dc P4510 Nvme U2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd Dc P4510 Nvme U2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 2.61 بيتابايت مكتوبة (PBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	12 واط في الوضع النشط / 5 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	السماكة 15 مم	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	139 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1925 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.1 واط في الوضع النشط / 0.04 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة