صفحة 12 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية -
وزن المنتج 660 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Adata Premier Sp600 128Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Adata Premier Sp600 128Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.35 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 7 × 69.85 × 100.45 مم 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47.5 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Kingdian M280 120Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Kingdian M280 120Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 381 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 1.5 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / قابل للاستخدام في البيئات الرطبة (رطوبة من 5% إلى 95%) -
الحجم والأبعاد 3 * 30.2 * 50.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 100 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Intel 660P Series Nvme M2 256Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Intel 660P Series Nvme M2 256Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1570 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 0.1 واط في الوضع النشط / 0.04 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Ocpc Formula Nvme M2 128Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Ocpc Formula Nvme M2 128Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Klevv Cras C920 Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Klevv Cras C920 Nvme M2 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true true
العمر الافتراضي المتوسط 700 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / برنامج Acronis True Image HD 2018 / دعم ترميز LPDC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Verity Ascend S601 240Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Verity Ascend S601 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 70 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 100 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Western Digital Blue Wds100T3B0A Sata 25 Inch 1Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Western Digital Blue Wds100T3B0A Sata 25 Inch 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,750,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان أزرق -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34.6 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Corsair Force Series Mp500 M2 480Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Corsair Force Series Mp500 M2 480Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 698 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8.2 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase) -
الحجم والأبعاد 14 x 69 x 100 مم 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 210 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Adata Ultimate Su650 480Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

Adata Ultimate Su650 480Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47.5 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -