مقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbمع

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
محتويات العلبة -

مقارنة مع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbمع

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false
دعم TRIM true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
خيارات الألوان -
محتويات العلبة -

مقارنة مع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
دعم TRIM true
دعم S.M.A.R.T true
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

وزن المنتج 34.4 g 8 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1800000 saat
استهلاك الطاقة 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 40 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false