1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة مع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

كروشيال VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة مع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

كينغسبيك VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف -
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM true نعم
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 8 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونغ VS سامسونج
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

سامسونغ VS إكس بي جي
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 250
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

لينوفو VS سامسونغ
الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

لينوفو VS سامسونغ
الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

سامسونج VS سامسونغ
الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
VS
مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونغ VS سامسونج
الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5"
وزن المنتج 8 جرام (g) 58 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

كينغستون VS سامسونغ
الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.3 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة