مقارنة Samsung 960 Evo 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Samsung 960 Evo 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع

الميزة	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false
دعم TRIM	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
خيارات الألوان	-
محتويات العلبة	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 960 Evo 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
محتويات العلبة	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة مع Samsung 960 Evo 1Tb

كروشيال VS سامسونغ

الميزة		Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة		داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
نوع الاتصال		-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية		3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية		1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش
الأنظمة المتوافقة		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد		2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة		-
تصميم وأبعاد الجهاز
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Pny Cs900 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة Pny Cs900 480Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs900 480Gb	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Klevv CRAS C910G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة Klevv CRAS C910Gمع Samsung 960 Evo 1Tb

كليف VS سامسونغ

الميزة	Klevv CRAS C910G	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4800 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
الشهادات والتصديقات	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 960 Evo 1Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSDمع Samsung 960 Evo 1Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSD	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.6 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
سعة الذاكرة	500 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	160	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Philips FM24SS120B/00 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة Philips FM24SS120B/00 internal solid state driveمع Samsung 960 Evo 1Tb

فيليبس VS سامسونغ

الميزة	Philips FM24SS120B/00 internal solid state drive	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	38.2 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	240 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Technology NV1 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة Kingston Technology NV1مع Samsung 960 Evo 1Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	Kingston Technology NV1	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lenovo 4XB1M86954 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة Lenovo 4XB1M86954 internal solid state driveمع Samsung 960 Evo 1Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	Lenovo 4XB1M86954 internal solid state drive	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
سعة الذاكرة	512 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة ADATA SMAR-980B-2TCS internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة ADATA SMAR-980B-2TCS internal solid state driveمع Samsung 960 Evo 1Tb

أداتا VS سامسونغ

الميزة	ADATA SMAR-980B-2TCS internal solid state drive	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	12 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تقنية التشفير	Yes
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة DELL 345-BGPN internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة DELL 345-BGPN internal solid state driveمع Samsung 960 Evo 1Tb

ديل VS سامسونغ

الميزة	DELL 345-BGPN internal solid state drive	Samsung 960 Evo 1Tb
الحجم والأبعاد	2.5"	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
سعة الذاكرة	1.6 TB	1 تيرابايت (tb)
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة