مقارنة Samsung 960 Evo 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M390 Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Msi Spatium M390 Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Western Digital Green Pc Wds120G2G0A 120Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Western Digital Green Pc Wds120G2G0A 120Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.2 واط في وضع القراءة / 2.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 32.1 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Kioxia Exceria Nvme M2 250Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Kioxia Exceria Nvme M2 250Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.23 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 336 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة الكتابة التسلسلية - 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Viccoman Vc600 Sata 25 Inch 240Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Viccoman Vc600 Sata 25 Inch 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 5 واط في الوضع النشط
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 7 * 70 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 50 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة
محتويات العلبة - حاوية خاصة لاستخدام وحدة التخزين خارجياً

مقارنة Gloway Stryker Series Sata 2 5 Inch 240Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Gloway Stryker Series Sata 2 5 Inch 240Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 350 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 1.5 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES 128 و 256 بت
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 100 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Western Digital Green Wds240G2G0B M2 240Gb

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Western Digital Green Wds240G2G0B M2 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 جيجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 465 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.8 واط في وضع القراءة / 2.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 1.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 6.51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 240Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 240Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 84 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة الكتابة التسلسلية - 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 420 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Hikvision E100 Sata 2 5 Inch 1024Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Hikvision E100 Sata 2 5 Inch 1024Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 480 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 1.66 واط في وضع القراءة / 1.8 واط في وضع الكتابة / 0.48 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100.1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -