مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونج VS سانديسك

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express
نوع استخدام الذاكرة	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	360000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	8 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
نوع الاتصال	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

كروشيال VS سامسونج

الميزة		محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2	PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4	Yes
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	1900 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND	V-NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سعة الذاكرة	-	1 TB
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express	M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	ذاكرة فلاش NAND
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND	أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 MB/s	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	360000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 2280
وزن المنتج	8 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
نوع الاتصال	-	NVMe
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
تصميم وأبعاد الجهاز	-	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

كينغسبيك VS سامسونج

الميزة		محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280	PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4	Yes
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	3200 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)	V-NAND
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة	-
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1900 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	PCIe 4.0 x4 NVMe
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express	M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	SSD داخلي
تقنية التشفير	Yes	تشفير AES 256 بت
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
دعم TRIM	true	نعم
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND	Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 MB/s	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	360000 IOPS	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	8 g	تقريبًا 8.0 جرام
خيارات الألوان	Siyah	أسود
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
ذاكرة DRAM	-	نعم
وحدة التحكم	-	Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
دعم NCQ	-	نعم
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
تصميم وأبعاد الجهاز	-	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		360000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		360000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		360000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		360000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	3.5 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونج VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 MB/s	530 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	360000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8 g	46 g
خيارات الألوان	Siyah	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS	360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	70 g	8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1900 MB/s
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	360000 IOPS
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة