مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
نوع استخدام الذاكرة Dahili
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 8 g -
خيارات الألوان Siyah -
نوع الاتصال -
وحدة التحكم -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
استهلاك الطاقة -

مقارنة مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
وحدة التحكم -
دعم TRIM true
دعم S.M.A.R.T true
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 1900 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
نوع استخدام الذاكرة Dahili
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true
دعم TRIM true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 8 g
خيارات الألوان Siyah
نوع الاتصال -
ذاكرة DRAM -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
دعم NCQ -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVOمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 MB/s 530 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 360000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 g 46 g
خيارات الألوان Siyah -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS 360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 70 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 1900 MB/s
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 360000 IOPS
وزن المنتج - 8 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

محرك أقراص صلبة داخلي سامسونج 960 EVO

وزن المنتج 34.4 g 8 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية - 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 1900 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 360000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
خيارات الألوان - Siyah