صفحة 11 من المقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Hp P500 Usb 3 1 Gen 2 250Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Hp P500 Usb 3 1 Gen 2 250Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة خارجي Dahili
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 2 -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 370 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 1.9 واط في وضع القراءة / 2.7 واط في وضع الكتابة / 1.05 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS / Android -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل ألومنيوم -
خيارات الألوان أسود، فضي، أزرق، أحمر -
الحجم والأبعاد 10 * 53.9 * 79.1 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 45.4 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
محتويات العلبة كابل USB Type-C إلى USB Type-A بطول 17 سم / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم -
تقنية التشفير - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA III

مقارنة Dahua E900 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Dahua E900 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 256 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / دعم جمع البيانات المهملة (Garbage Collection) -
مادة الهيكل معدن -
الحجم والأبعاد 4.8 * 23 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Biostar M700 Nvme M2 128Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Biostar M700 Nvme M2 128Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الأنظمة المتوافقة --- يبدأ توافق نظام التشغيل هنا --- -
الميزات الإضافية حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 25 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTTF) / 900 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 6.5 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Ultimate Su800 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Adata Ultimate Su800 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 47.5 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Liteon Mu3 Sata 25 Inch 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Liteon Mu3 Sata 25 Inch 120Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 8.1 والإصدارات الأحدث / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 60 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Lexar Nm610 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Nm610 Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Klevv Cras C710 Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Klevv Cras C710 Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1250 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 150 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018 -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 7 جرام (g) 8 g
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm991A Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Teamgroup Mp33 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Teamgroup Mp33 Pro Nvme M2 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Green Wds480G2G0A 480Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Green Wds480G2G0A 480Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 32.7 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.8 واط في وضع القراءة / 2.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false