مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Asgard An2 Nvme M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Asgard An2 Nvme M2 250Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard An2 Nvme M2 250Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
وزن المنتج	660 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kodak X100 Sata 2 5 Inch 960Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Kodak X100 Sata 2 5 Inch 960Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

كوداك VS سامسونج

الميزة	Kodak X100 Sata 2 5 Inch 960Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 8.6 والإصدارات الأحدث / Linux 2.6 والإصدارات الأحدث / Chrome OS	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول	-
مادة الهيكل	معدن	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Hp Sas Read Intensive 1 92Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
استهلاك الطاقة	5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

باتريوت VS سامسونج

الميزة	Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1800 (TBW) تيرابايت (tb)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	متوافق مع منتجات AMD بمعيار PCIe 4.0 / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج VIPER VP4100 SSD Toolbox	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	8 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	25 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8256Gntd Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8256Gntd Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8256Gntd Nvme M2 256Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb

سامسونج VS دي إس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	545 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	7 * 69.85 * 100.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	32.1 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Mz Jpu512Ta06 512Gb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mz Jpu512Ta06 512Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung Mz Jpu512Ta06 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M390 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Msi Spatium M390 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M390 Nvme M2 500Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Rgb Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة جيجابايت Aorus Rgb Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus Rgb Nvme M2 256Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	5.085 واط في وضع القراءة / 3.285 واط في وضع الكتابة / 0.272 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	تخصيص إضاءة RGB في 5 أوضاع / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج RGB Fusion / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	8.1 * 22.3 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة