مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Hp Sas Read Intensive 1 92Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
استهلاك الطاقة 5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1800 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية متوافق مع منتجات AMD بمعيار PCIe 4.0 / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج VIPER VP4100 SSD Toolbox -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 25 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8256Gntd Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8256Gntd Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 545 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 32.1 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mz Jpu512Ta06 512Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mz Jpu512Ta06 512Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت M30 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت M30 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC لزيادة سرعة الكتابة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / برنامج SSD Tool box -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Msi Spatium M390 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M390 Nvme M2 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة خوارزمية LDPC ECC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت Aorus Rgb Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Aorus Rgb Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 5.085 واط في وضع القراءة / 3.285 واط في وضع الكتابة / 0.272 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية تخصيص إضاءة RGB في 5 أوضاع / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج RGB Fusion / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 8.1 * 22.3 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Kodak X300S Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Kodak X300S Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over-Provision لزيادة عمر الذاكرة / استهلاك منخفض للطاقة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية إدارة الكتل التالفة -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Pny Cs900 Sata 2 5 Inch 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Pny Cs900 Sata 2 5 Inch 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 535 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 515 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 99.06 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -