صفحة 2 من المقارنة Samsung 860 EVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	Samsung 860 EVO	Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	true
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbمع Samsung 860 EVO

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	8 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	13.4 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 EVO

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	Samsung 860 EVO	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	11 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kodak X250S Sata M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Kodak X250S Sata M2 256Gbمع Samsung 860 EVO

كوداك VS سامسونج

الميزة	Kodak X250S Sata M2 256Gb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / محسن استهلاك الطاقة	-
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	8 g
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 250Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Samsung 960 Evo 250Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 EVO	Samsung 960 Evo 250Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	7.7 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت$

مقارنة Samsung 860 EVOمع SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS سك هينكس

الميزة	Samsung 860 EVO	SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	-
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 EVO	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 1Tb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Samsung 860 Qvo 1Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 EVO	Samsung 860 Qvo 1Tb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	62 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 EVO	Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 1Tbمع Samsung 860 EVO

ليكسار VS سامسونج

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

سامسونج VS بلو

الميزة	Samsung 860 EVO	Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	37.4 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم TRIM	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة