مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos H2 Ultra Sata 2 5 Inch 128Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Twinmos H2 Ultra Sata 2 5 Inch 128Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 10 * 80 * 110 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 98 والإصدارات الأحدث / macOS / Linux Kernel 2.4 والإصدارات الأحدث

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 970 Evo Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 970 Evo Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Wds250G1B0B M2 250Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Blue Wds250G1B0B M2 250Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,750,000 ساعة (MTTF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.23 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 7 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Slim S55 Sata30 240Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power Slim S55 Sata30 240Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Apacer As2280P4 Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Apacer As2280P4 Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 6.8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat

مقارنة Gudga Sata 25 Inch 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Gudga Sata 25 Inch 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 570 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC / قابل للاستخدام لأجهزة الكمبيوتر المحمولة وأجهزة الكمبيوتر المكتبية / زمن وصول 0.07 مللي ثانية -
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل بلاستيك -
الحجم والأبعاد 7 * 70 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية شهادات RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, المغرب -
الحجم والأبعاد 8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 13.4 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 240Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 240Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 84 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 128Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 128Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Addlink S68 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Addlink S68 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الأنظمة المتوافقة Windows 7 و 8 (يتطلب برنامج تشغيل) و Windows 10 / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 8.2 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -