مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Sn580 Wds500G3B0E Nvme M2 500Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Blue Sn580 Wds500G3B0E Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 4000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 300 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 85 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 5.5 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Legend 850 Lite Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Adata Legend 850 Lite Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 3.63 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.65 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 8.5 جرام (مع المشتت الحراري) ** 5.5 جرام (بدون المشتت الحراري) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1925 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.1 واط في الوضع النشط / 0.04 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Twinmos Alpha Pro Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Black Sn750 Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Black Sn750 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3470 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,750,000 ساعة (MTTF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 7.5 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - برنامج WD Black SSD Dashboard مع دعم وضع الألعاب
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 15 * 23 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Valuetech Supersonic Sata 2 5 Inch 128Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Valuetech Supersonic Sata 2 5 Inch 128Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 5.65 * 42.65 * 53.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / Linux
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / يمكن تخزينها في بيئات رطبة بنسبة رطوبة من 5% إلى 95%
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Msi Spatium M460 Hs Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M460 Hs Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 4900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 860 Evo 500Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 860 Evo 500Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 8 g 86 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Black Sn850 Nvme M2 500Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Black Sn850 Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 4100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 300 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 x 22.15 x 80.15 مم (بدون مبدد حراري) / 8.8 x 23.4 x 80.2 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 8 g 7.5 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - true