صفحة 4 من المقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 870 Qvo Sata 25 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 870 Qvo Sata 25 1Tb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 46 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1600 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Wds400T2B0A Sata 25 Inch 4Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Blue Wds400T2B0A Sata 25 Inch 4Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 57.9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Hp S700 Sata M 2 250Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Hp S700 Sata M 2 250Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 145 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 3.35 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 5 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Team Group L3 EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Team Group L3 EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 470 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 ساعة (MTBF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 115 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Hp Z Turbo Drive Z8 G4 Tlc Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Hp Z Turbo Drive Z8 G4 Tlc Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Wds250G2B0A 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Blue Wds250G2B0A 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 57.9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Sx6000 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Xpg Sx6000 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kodak X150 Sata 2 5 Inch 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Kodak X150 Sata 2 5 Inch 120Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تفريغ الهواء الساخن حتى دقيقة واحدة بعد إيقاف التشغيل / موصلات HCS مطلية بالذهب مع قدرة على تمرير تيار أكبر بنسبة 50% -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Hp 717965 B21 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Hp 717965 B21 120Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 410 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 130 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 9 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد السماكة 15 مم M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 226.8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes