صفحة 3 من المقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 800 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm1735 Mzplj6T4Hala 00007 64Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm1735 Mzplj6T4Hala 00007 64Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 12.9 * 23.4 * 80.1 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Black Sn770 Nvme M2 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Black Sn770 Nvme M2 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 5150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 4850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 600 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 5.5 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - برنامج WD Black SSD Dashboard مع دعم وضع الألعاب
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -

مقارنة Asus Rog Strix Sq7 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Asus Rog Strix Sq7 Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث / Android / Chrome OS -
الميزات الإضافية دعم ترميز LPDC / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 7.7 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Intel Ssd D3 S4510 Sata 2 5 Inch 480Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel Ssd D3 S4510 Sata 2 5 Inch 480Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 490 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1.2 بيتابايت مكتوبة (PBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 3 واط في الوضع النشط / 1 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد سمك 7 مم M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Green Wds120G2G0B M2 120Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Green Wds120G2G0B M2 120Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 545 جيجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 435 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 1.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 6.46 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.2 واط في وضع القراءة / 2.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Green Wds240G2G0B M2 240Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Green Wds240G2G0B M2 240Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 540 جيجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 465 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 1.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 6.51 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.8 واط في وضع القراءة / 2.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Ocpc Ssd Sata 2 5 Inch 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Ocpc Ssd Sata 2 5 Inch 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 6.7 * 69.8 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Ace A55 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power Ace A55 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false