صفحة 4 من المقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونج VS سامسونج

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
سعة الذاكرة	1 TB	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	150	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.5"
خيارات الألوان	Siyah	Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
وزن المنتج	-	58 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	512 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	520 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

إتش بي VS سامسونج

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
وزن المنتج	34.4 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	-	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	150
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	480	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	512 GB	1 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

ديل VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	960 GB	1 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	150	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	-
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 256Gb	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		36000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		32 - 158 °F
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	150
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	500 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	160	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	2.6 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة