مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت$

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت

سامسونغ VS سيلكون باور

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb	Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مادة الهيكل	-	بلاستيك
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-A

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت$

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

سامسونغ VS توشيبا

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb	Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	-
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	-
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Hp Ex950 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة Hp Ex950 Nvme M2 1Tbمع Samsung 850 Evo 2Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Hp Ex950 Nvme M2 1Tb	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 650 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	6.93 واط في الوضع النشط / 0.73 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows	-
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	5.4 جرام (g)	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع Samsung 850 Evo 2Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} ويسترن ديجيتال Black SN750 NVMe M.2 سعة 2 تيرابايت$

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع ويسترن ديجيتال Black SN750 NVMe M.2 سعة 2 تيرابايت

سامسونغ VS ويسترن ديجيتال

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb	ويسترن ديجيتال Black SN750 NVMe M.2 سعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 ساعة (MTTF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	7.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	برنامج WD Black SSD Dashboard مع دعم وضع الألعاب
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Sl200 Usb 31 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة Lexar Sl200 Usb 31 1Tbمع Samsung 850 Evo 2Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Sl200 Usb 31 1Tb	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	40.6 جرام (g)	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع Samsung 850 Evo 2Tb

أدا VS سامسونغ

الميزة	Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية		-
خيارات الألوان	أزرق	-
الحجم والأبعاد	3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	3.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع Samsung 850 Evo 2Tb

سامسونغ VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع Samsung 850 Evo 2Tb

سامسونغ VS كورسير

الميزة	Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	660 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 850 Evo 2Tb$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Samsung 850 Evo 2Tb

سامسونغ VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة