مقارنة Samsung 850 Evo 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة		أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		تشفير AES 256 بت
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع

سامسونغ VS كروشيال

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	-
مواصفات ذاكرة الفلاش		Micron G8 NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية	-	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 850 Evo 2Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

سامسونغ VS كينغسبيك

الميزة	Samsung 850 Evo 2Tb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم		وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 850 Evo 2Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 850 Evo 2Tb
سعة الذاكرة	1 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	54.4 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung 850 Evo 2Tb

ديل VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Samsung 850 Evo 2Tb
سعة الذاكرة	960 GB	2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung 850 Evo 2Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	Samsung 850 Evo 2Tb
وزن المنتج	34.4 g	54.4 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	-	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 850 Evo 2Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 850 Evo 2Tb
وزن المنتج	164 g	54.4 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	-	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung 850 Evo 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Samsung 850 Evo 2Tb
سعة الذاكرة	960 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung 850 Evo 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Samsung 850 Evo 2Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	54.4 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung 850 Evo 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	Samsung 850 Evo 2Tb
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	54.4 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung 850 Evo 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Samsung 850 Evo 2Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة