صفحة 3 من المقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		RoHS
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

ديل VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	960 GB	1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

إتش بي VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	6.6 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS بريداتور

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6300 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	7 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	974000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	6.6 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	58 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	30000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة