صفحة 2 من المقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

وزن المنتج 34.4 g 6.6 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة - 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 9 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 440000 IOPS
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 6.6 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 240 GB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS -
الحجم والأبعاد M.2 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Pny Cs2230 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false