صفحة 7 من المقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gbمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة	Kingspec Mt Msata 512Gb	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-20 إلى 70 درجة مئوية	-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول	-
الحجم والأبعاد	3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	41 جرام (g)	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج	100 جرام (g)	51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

بي إن واي VS بي إن واي

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo 250Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Evo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

ليكسار VS بي إن واي

الميزة	Lexar Ns100 512Gb	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	256 (TBW) تيرابايت (tb)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Qvo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 850 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Evo 500Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

أدا VS بي إن واي

الميزة	Adata Xpg Sx900 256Gb	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة	0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

كينغسبيك VS بي إن واي

الميزة	Kingspec Nt M2 2280 512Gb	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
وزن المنتج	-	100 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة