صفحة 12 من المقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Toshiba Canvio Ready USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Toshiba Canvio Ready USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	19.5 * 78 * 109 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Micro-B إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 1
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.13 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	NTFS / سرعة نقل بيانات 5 جيجابت في الثانية
وزن المنتج	-	2175 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت

بي إن واي VS إم جي

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 240 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb

بي إن واي VS سيغيت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 860 Qvo 2Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 860 Qvo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

بي إن واي VS إم جي

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج	-	42 جرام (g)
محتويات العلبة	-	سائل تبريد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
وزن المنتج	-	3.9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS كليف

الميزة	Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS أدا

الميزة	Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
خيارات الألوان	-	أزرق
وزن المنتج	-	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp Ex950 Nvme M2 1Tbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS إتش بي

الميزة	Hp Ex950 Nvme M2 1Tb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 650 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	6.93 واط في الوضع النشط / 0.73 واط في وضع الخمول
الأنظمة المتوافقة	-	Windows
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	5.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة