صفحة 10 من المقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
الميزات الإضافية	-	إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 256 جيجابايت

بي إن واي VS فيكومان

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	10 * 70 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (7, 8, 8.1, 10) / macOS / Linux
الميزات الإضافية	-	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة
وزن المنتج	-	100 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

بي إن واي VS تروبايت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-
مادة الهيكل	-	معدن
خيارات الألوان	-	أسود، ذهبي

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع أداتا فالكون SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS إكس إنرجي

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	أداتا فالكون SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

بي إن واي VS توينموس

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	10 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

ليكسار VS بي إن واي

الميزة	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	168 (TBW) تيرابايت (tb)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كروشيال VS بي إن واي

الميزة	Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	9 * 95 * 125 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

بي إن واي VS ترانسيند

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت

بي إن واي VS فيكومان

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 70 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية	-	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة
وزن المنتج	-	55 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 850 Evo 500Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 850 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	46 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة