مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 80 (TBW) تيرابايت (tb) -
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 9 جرام (g) -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الحجم والأبعاد M.2 2280 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 80 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM false نعم
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 80 (TBW) تيرابايت (tb) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 9 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الحجم والأبعاد M.2 2280 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 80 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 80 (TBW) تيرابايت (tb) -
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 9 جرام (g) -
نوع الاتصال - NVMe
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Patriot P300 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS باتريوت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 80 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 9 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Patriot P300 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS باتريوت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 80 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 80 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 46 g
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 80 (TBW) تيرابايت (tb) 1400
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 50 g

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 256Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 80 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Patriot P300 Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 9 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 80 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الشهادات والتصديقات -

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Patriot P300 Nvme M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Patriot P300 Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 80 (TBW) تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت