صفحة 13 من المقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	-	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 2Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Qvo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb

ميكرون VS سيغيت

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

ميكرون VS توينموس

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	100 x 69.85 x 6.8 مم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

ميكرون VS بي إن واي

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	-	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp600 Pro Lpx Nvme M2 4Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS كورسير

الميزة	Corsair Mp600 Pro Lpx Nvme M2 4Tb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	410 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	متوافق مع PlayStation 5 / macOS X / Windows 10
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	11 * 23 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 128Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS أدا

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 128Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-	0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS كليف

الميزة	Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS كينغماكس

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	3.5 واط في الوضع النشط
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة