مقارنة Lexar Ns100 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 250Gb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 960 Evo 250Gb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	7.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 1Tb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 960 Pro 1Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 512Gb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 960 Pro 512Gb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 960 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8.3 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 500Gb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 960 Evo 500Gb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 960 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

ليكسار VS سيغيت

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Ns100 1Tb$

مقارنة Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tbمع Lexar Ns100 1Tb

أدا VS ليكسار

الميزة	Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tb	Lexar Ns100 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
الأنظمة المتوافقة	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات		-
خيارات الألوان	أسود، أبيض	-
الحجم والأبعاد	9.5 * 54.8 * 84.7 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	35 جرام (g)	34 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-C / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	512 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Crucial Bx500 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Ns100 1Tb$

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Lexar Ns100 1Tb

كروشيال VS ليكسار

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	Lexar Ns100 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	512 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	34 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo 250Gb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 970 Evo 250Gb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 970 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 2Tb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 960 Pro 2Tb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 960 Pro 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Pro 512Gb$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Samsung 860 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج	34 جرام (g)	51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت$

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

ليكسار VS ترانسيند

الميزة	Lexar Ns100 1Tb	Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	512 (TBW) تيرابايت (tb)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة