مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb$

مقارنة مع Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb

الميزة		Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	-
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	false	نعم
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	false	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	نعم
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
وحدة التحكم	-	Samsung Elpis Controller
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb$

مقارنة مع Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb

كينغسبيك VS ليكسار

الميزة		Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة	-
دعم TRIM	نعم	false
دعم S.M.A.R.T	نعم	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	-
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية	-	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع

ليكسار VS سامسونغ

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ليكسار VS سانديسك

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

ليكسار VS سامسونج

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	600
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm)
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

ليكسار VS سيجيت

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		90000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1400
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	-	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

ليكسار VS سامسونج

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

ليكسار VS إكس بي جي

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	250
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

ليكسار VS سيجيت

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1800000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb

كينغستون VS ليكسار

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	7.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة Lexar Nm800 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

ليكسار VS سامسونج

الميزة	Lexar Nm800 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة