مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 90,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 82,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,750,000 ساعة (MTTF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 x 22 x 80 مم
وزن المنتج 9 جرام (g) 4.8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة -

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 40.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false true
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 7.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 2.8 أمبير (a)
استهلاك الطاقة -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.15 x 22 x 80 مم
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tbمع Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

الميزة

Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1650 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)

مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gbمع Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 128Gb

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
الميزات الإضافية -

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
استهلاك الطاقة - أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -