قرص صلب داخلي لينوفو 4XB1K26775
VS
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
مقارنة الميزات
الميزات الفنية
الميزات الفنية
| سعة الذاكرة | 1 TB | 1 TB |
|---|---|---|
| نطاق درجة الحرارة التشغيلية | 0 - 85 °C | - |
| مواصفات ذاكرة الفلاش | - | V-NAND TLC |
| سرعة القراءة التسلسلية | - | 5000 MB/s |
| سرعة الكتابة التسلسلية | - | 4200 MB/s |
| العمر الافتراضي المتوسط | - | 600 |
الميزات الجمالية
الميزات الجمالية
| الحجم والأبعاد | 2242 (22 x 42 mm) (42 * 22 * 2.38 mm) | 2280 (22 x 80 mm) |
|---|---|---|
| وزن المنتج | 3.9 g | - |
نوع التخزين
نوع التخزين
| منفذ الاتصال بالذاكرة | PCI Express 4.0 | PCI Express 4.0 |
|---|---|---|
| نوع استخدام الذاكرة | Dahili | Dahili |
| تفاصيل الاتصال بالتخزين | - | Yes |
القدرات
القدرات
| تقنية التشفير | - | Yes |
|---|---|---|
| دعم S.M.A.R.T | - | نعم |
| دعم TRIM | - | نعم |
| الشهادات والتصديقات | - | Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA |
إخلاء المسؤولية: قد تحتاج المعلومات في هذه الصفحة إلى مراجعة. إذا لاحظت أي تناقض، يرجى الإبلاغ عنه
مقارنة تقييمات المستخدمين
قرص صلب داخلي لينوفو 4XB1K26775
0
/10
من إجمالي 1 تصويت
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
0
/10
من إجمالي 1 تصويت
الأسئلة والأجوبة حول هذه المقارنة
لا توجد أسئلة حول هذه المقارنة بعد.
كن أول من يطرح سؤالاً!
سيتم عرض سؤالك بعد الموافقة عليه
